半導體元件物理與製程：理論與實務（四版）

第一章 半導體元件物理的基礎
1.1 半導體能帶觀念與載子濃度
1.2 載子的傳輸現象
1.3 支配元件運作的基本方程式

第二章 P-N 接面
2.1 P-N接面的基本結構與特性
2.2 零偏壓
2.3 逆向偏壓
2.4 空乏層電容
2.5 單側陡接面
2.6 理想的電流－電壓特性
2.7 實際的電流－電壓特性
2.8 接面崩潰現象與機制

第三章 金氧半場效電晶體(MOSFET)的基礎
3.1 MOS電容的結構與特性
3.2 理想的MOS(金氧半)元件
3.3 實際的MOS(金氧半)元件

第四章 長通道MOSFET元件
4.1 MOSFET的基本結構與類型
4.2 基本操作特性之觀念
4.3 電流－電壓特性之推導
4.4 其他重要元件參數與特性

第五章 短通道MOSFET元件
5.1 短通道元件的輸出特性
5.2 短通道元件的漏電流現象

第六章 CMOS製造技術與製程介紹
6.1 CMOS製造技術
6.2 CMOS製造流程介紹

第七章 製程整合
7.1 元件發展需求
7.2 基板工程(substrate engineering)
7.3 閘極工程
7.4 源/汲極工程(Source/Drain engineering)
7.5 內連線工程(inter-connection)

第八章 先進元件製程
8.1 先進元件製程需求
8.2 SOI
8.3 應變矽Strain Si
8.4 非平面元件 3D device
8.5 高介電閘極氧化層(High K gate dielectric)
8.6 金屬閘極Metal gate

第九章 邏輯元件
9.1 邏輯元件的要求—速度、功率
9.2 反向器(Inverter)
9.3 組合邏輯(Cmbinational Logic)
9.4 時序邏輯Sequential Logic —Latch, DFF
9.5 邏輯元件應用Standard Cell、Gate Array、CPLD、FPGA

第十章 邏輯/類比混合訊號
10.1 混合訊號特性
10.2 混合訊號電路
10.3 混合訊號的主動元件( Active device)
10.4 混合訊號被動元件(Passive device)
10.5 混合訊號電路特別需求

第十一章 記憶體
11.1 CMOS記憶體特性與分類
11.2 靜態隨機存取記憶體SRAM
11.3 動態隨機存取記憶體DRAM
11.4 快閃記憶體Flash
11.5 發展中的先進記憶體

第十二章 分離元件
12.1 功率二極體 
12.2 功率金氧半場效電晶體 
12.3 溝槽式閘極功率金氧半電晶體 
12.4 超接面金氧半電晶體Super Junction MOSFET 
12.5 絕緣閘雙極型電晶體Insulated Gate Bipolar Transistor 
12.6 碳化矽（SiC）功率半導體SiC 
12.7 氮化鎵（GaN） 功率半導體

第十三章   元件電性量測WAT 413
13.1 直流（DC）電性量測
13.2 C-V（capacitance-voltage）電性量測
13.3 RF 電性量測
13.4 元件模型

第十四章 SOC 與半導體應用
14.1 IC 功能分類 
14.2 SOC 
14.3 半導體應用
14.4 資訊電子Computer 
14.5 通訊電子Communication 
14.6 消費性電子Consumer 
14.7 汽車電子Car 
14.8 網際網路