半導體製程技術導論(第四版) 

第一章 導論
1.1 簡史
1.2 概述
1.3 本章總結
習題
參考文獻

第二章 積體電路製程介紹
2.1 IC製程簡介
2.2 IC的良率
2.3 無塵室技術
2.4 IC晶圓廠的基本結構
2.5 IC測試與封裝
2.6 近期的發展
2.7 本章總結
習題
參考文獻

第三章 半導體基礎
3.1 半導體基本概念
3.2 半導體基本元件
3.3 IC晶片
3.4 IC基本製程
3.5 互補式金屬氧化物電晶體
3.6 2000後半導體製程發展趨勢
3.7 本章總結
習題
參考文獻

第四章 晶圓製造、磊晶成長和基板工程
4.1 簡介
4.2 為什麼使用矽材料
4.3 晶體結構與缺陷
4.4 從矽砂到晶圓
4.5 磊晶矽生長技術
4.6 基板工程
4.7 未來趨勢
4.8 本章總結
習題
參考文獻

第五章 加熱製程
5.1 簡介
5.2 加熱製程的硬體設備
5.3 氧化製程
5.4 擴散
5.5 退火過程
5.6 高溫化學氣相沉積
5.7 快速加熱製程(RTP)系統
5.8 加熱製程近年發展
5.9 本章總結
習題
參考文獻

第六章 微影製程
6.1 簡介
6.2 光阻
6.3 微影製程
6.4 微影技術的發展趨勢
6.5 其他微影製程方法
6.6 極紫外光(EUV)微影技術
6.7 安全性
6.8 本章總結
習題
參考文獻

第七章 電漿製程
7.1 簡介
7.2 電漿基本概念
7.3 電漿中的碰撞
7.4 電漿參數
7.5 離子轟擊
7.6 直流偏壓
7.7 電漿製程優點
7.8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器
7.9 遠距電漿製程
7.10 高密度電漿(HDP)製程
7.11 本章總結
習題
參考文獻

第八章 離子佈植製程
8.1 簡介
8.2 離子佈植技術簡介
8.3 離子佈植技術硬體設備
8.4 離子佈植製程
8.5 安全性
8.6 近年發展及應用
8.7 本章總結
習題
參考文獻

第九章 蝕刻製程
9.1 蝕刻製程簡介
9.2 蝕刻製程基礎
9.3 濕式蝕刻製程
9.4 電漿(乾式)蝕刻製程
9.5 電漿蝕刻製程
9.6 蝕刻製程發展趨勢
9.7 蝕刻工藝的檢驗和計量
9.8 最新進展
9.9 本章總結
習題
參考文獻

第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜
10.1 簡介
10.2 化學氣相沉積
10.3 介電質薄膜的應用於CMOS IC
10.4 介電質薄膜特性
10.5 介電質CVD製程
10.6 旋轉塗佈矽玻璃(Spin-on Glass,SOG)
10.7 高密度電漿CVD(HDP-CVD)
10.8 介電質CVD反應室清潔
10.9 新千禧年的介電質材料
10.10 本章總結
習題
參考文獻

第十一章 金屬化製程
11.1 簡介
11.2 導電薄膜
11.3 金屬薄膜特性
11.4 金屬化學氣相沉積
11.5 物理氣相沉積
11.6 銅金屬化製程
11.7 最新進展
11.8 安全性
11.9 本章總結
習題
參考文獻

第十二章 化學機械研磨製程
12.1 簡介
12.2 CMP硬體設備
12.3 CMP研磨漿
12.4 CMP基本理論
12.5 CMP製程
12.6 CMP製程近年發展
12.7 本章總結
習題
參考文獻

第十三章 半導體製程整合
13.1 簡介
13.2 晶圓準備
13.3 隔離技術
13.4 井區形成
13.5 電晶體製造
13.6 高k金屬閘極MOSFET
13.7 連線技術
13.8 鈍化
13.9 本章總結
習題
參考文獻

第十四章 IC製程技術
14.1 簡介
14.2 1980年代CMOS製程流程
14.3 1990年代CMOS製程流程
14.4 2000年代CMOS製程流程
14.5 2010年代CMOS製程流程
14.6 記憶體晶片製造製程
14.7 本章總結
習題
參考文獻

第十五章 3D IC元件的製造過程
15.1 引言
15.2 埋入式閘極字元線DRAM
15.3 3D-NAND 快閃記憶體
15.4 高介電質、金屬閘極FinFET CMOS製造
15.5 本章總結
習題
參考文獻

第十六章 總結與未來趨勢
參考文獻