半導體化合物光電原理

第1章半導體結構學基礎
1.1半導體的化學結構
1.1.1元素週期表
1.1.2原子結構
1.1.3電離能、電子親和能及電負性
1.1.4結合鍵
1.2半導體晶體學基礎
1.2.1晶體基本概念
1.2.2常見的晶體結構
1.2.3晶體結構缺陷
1.2.4晶體中的介面
1.3半導體的晶體結構
1.3.1ⅣA族元素半導體
1.3.2ⅢAVA族化合物半導體
1.3.3ⅡB—VA族化合物半導體
參考文獻

第2章半導體物理學基礎
2.1能帶理論
2.1.1能帶
2.1.2布裡淵區
2.1.3費米分佈函數與費米能級
2.2半導體中的雜質與缺陷
2.3半導體的載流子傳輸特性
2.3.1半導體中的載流子
2.3.2半導體中載流子的漂移
2.4半導體中的介面接觸特性
2.4.1功函數
2.4.2半導體的介面接觸
2.5半導體的霍爾效應
2.6pn結
2.6.1空間電荷區
2.6.2能帶圖
2.6.3電流電壓特性
2.6.4理想pn結模型及其電流電壓方程
2.6.5pn結擊穿
2.6.6pn結的隧道效應
2.7量子阱與超晶格
2.7.1單量子阱與二維電子氣
2.7.2多量子阱與超晶格
參考文獻

第3章半導體化合物的電學性質
3.1載流子輸運
3.1.1遷移率
3.1.2電阻率
3.1.3載流子複合和壽命
3.1.4熱電子發射
3.1.5隧穿
3.1.6空間電荷效應
3.2半導體中的能帶
3.3ZnO寬頻隙半導體
3.3.1ZnO半導體能帶
3.3.2n型摻雜與電學性質
3.3.3p型摻雜與電學性質
3.4GaN半導體材料
3.4.1GaN的晶格結構和能帶
3.4.2GaN的電學特性
3.5GaAs半導體材料
3.5.1GaAs的能帶結構及其主要特點
3.5.2GaAs電學特性
3.6其他ⅢAVA族半導體材料
3.6.1InSb的能帶結構及電學特性
3.6.2GaP的能帶結構及電學特性
3.7ⅡBVA族化合物的能帶結構
3.8其他能帶結構
3.8.1固溶體的能帶結構
3.8.2施主和受主能級
3.8.3異質結的能帶圖
3.8.4異型異質結的電學特性
3.9LED發光器件的電參數
參考文獻

第4章半導體化合物的光學特性
4.1光、光度學、輻射度學和色度學的基本概念
4.1.1光的基本概念
4.1.2光度學與輻射度學參數
4.1.3相關色度學參數
4.2光與物質的相互作用
4.2.1線性光學性能
4.2.2非線性光學性能
4.3半導體材料發光性能參數
4.3.1發射光譜
4.3.2吸收光譜
4.3.3激發光譜
4.3.4發光衰減
4.3.5發光效率
4.4半導體的光吸收
4.4.1本征吸收
4.4.2直接躍遷和間接躍遷
4.4.3其他吸收過程
4.5半導體的光生伏特效應
4.5.1pn結的光生伏特效應
4.5.2光電池的電流電壓特性
4.6半導體發光
4.6.1輻射躍遷
4.6.2發光效率
4.6.3電致發光激發
4.7半導體鐳射
4.7.1自發輻射和受激輻射
4.7.2pn結雷射器原理
4.7.3鐳射材料
參考文獻

第5章半導體化合物應用簡介
5.1半導體概述
5.1.1半導體材料發展
5.1.2半導體元素材料及應用
5.1.3半導體化合物材料及其應用
5.2半導體化合物在LED產業中的應用
5.2.1LED照明產品
5.2.2顯示領域
5.2.3資訊指示領域
5.2.4LED其他領域
5.3半導體化合物太陽電池
5.3.1概述
5.3.2太陽能電源的應用
5.4半導體化合物雷射器
5.4.1概述
5.4.2半導體雷射器發展
5.4.3應用
參考文獻

第6章半導體化合物光電器件
6.1半導體化合物LED器件
6.1.1原理
6.1.2LED器件結構
6.1.3晶片結構
6.1.4幾種典型的襯底LED晶片結構
6.2半導體雷射器
6.2.1概述
6.2.2半導體雷射器的工作原理
6.2.3半導體雷射器結構
6.2.4半導體雷射器的類型
6.3太陽電池
6.3.1概述
6.3.2太陽電池的原理
6.3.3太陽電池的結構
6.3.4太陽電池的分類
6.3.5太陽電池元件結構
參考文獻